產品特性：

• 具有環保特性、無鉛、無鹵化物以及符合RoHS條例。
• 麵積為1.6平方毫米
• RDS(ON)最大值是100mΩ，柵極電壓為5V
• 具有優異的dv/dt抗幹擾性能

應用範圍：

• 高速DC/DC電源
  、負載點轉換器
• D類音頻放大器、硬開關和高頻電路

宜普電源轉換公司宣布推出第二代增強性能氮化镓場效應晶體管(eGaN FET)係列中的最新成員——EPC2012。EPC2012具有環保特性、無鉛
、無鹵化物以及符合RoHS(有害物質限製)條例。

EPC2012 FET是一款麵積為1.6平方毫米的200VDS器件
，RDS(ON)最大值是100mΩ，柵極電壓為5V。這種eGaN FET具有比第一代EPC1012 eGaN器件明顯更高的性能優勢。EPC2012的脈衝額定電流提高至15A(而EPC1012隻有12A)
，因此在較低柵極電壓時
，其性能得以全麵增強，而且由於提高了QGD/QGS比率

，EPC2012還具有優異的dv/dt抗幹擾性能。

與具有相同導通電阻的先進矽功率MOSFET相比，EPC2012體積小很多
，而開關性能卻高出許多倍。受益於eGaN FET性能的應用包括高速DC/DC電源、負載點轉換器
、D類音頻放大器、硬開關和高頻電路。

“隨著宜普氮化镓場效應晶體管係列產品的不斷擴展
，氮化镓場效應晶體管的性能標杆得以進一步提升。另外，這種新一代eGaN產品是業界首批不含鉛及符合RoHS要求的器件。”共同創始人兼首席執行官Alex Lidow表示。