【導讀】近日


，三星電子宣布在存儲技術領域實現重大突破，其研發團隊成功開發出一種新型NAND閃存結構，可將功耗降低超過90%。這一成果有望徹底改變人工智能數據中心、移動設備及其他依賴存儲芯片的終端產品的未來發展路徑。

技術突破：鐵電材料與氧化物半導體的創新融合

據悉
，該項突破性研究由三星先進技術研究院（SAIT）主導
，通過將鐵電材料與氧化物半導體創新性結合，解決了長期困擾NAND閃存發展的能耗難題。相關研究成果已發表於國際頂級學術期刊《自然》，彰顯了其技術的前沿性與科學性。

NANDshancunzuoweiyizhongfeiyishixingcunchujiezhi，nenggouzaiduandianqingkuangxiachangqibaocundaliangshuju
，qigongzuoyuanlishitongguoxiangcunchudanyuanzhurudianzilaishixianshujuxieru。suizheshujuliangdebaozhashizengchang
，yejiepubiancaiyongduidiegengduocunchucengdefangshilaitishengcunchumidu，danzheyebukebimiandidaozhishujuduxieguochengzhongdenenghaojijushangsheng。youqishizaidaguimoshujuzhongxinchangjingxia
，cunchuxinpiandegonghaowentiyichengweizhiyuexingyefazhandeguanjianpingjing。

變“劣勢”為優勢：協同設計攻克技術難關

三san星xing研yan究jiu團tuan隊dui此ci次ci突tu破po的de核he心xin在zai於yu成cheng功gong攻gong克ke了le氧yang化hua物wu半ban導dao體ti閾yu值zhi電dian壓ya不bu穩wen定ding的de技ji術shu難nan題ti。過guo去qu，這zhe一yi特te性xing被bei視shi為wei技ji術shu障zhang礙ai，但dan研yan究jiu團tuan隊dui通tong過guo將jiang其qi與yu鐵tie電dian結jie構gou進jin行xing協xie同tong設she計ji
，巧qiao妙miao地di將jiang這zhe一yi“劣勢”轉(zhuan)化(hua)為(wei)優(you)勢(shi)。鐵(tie)電(dian)材(cai)料(liao)具(ju)備(bei)自(zi)維(wei)持(chi)電(dian)極(ji)化(hua)特(te)性(xing)，無(wu)需(xu)持(chi)續(xu)供(gong)電(dian)即(ji)可(ke)保(bao)持(chi)狀(zhuang)態(tai)，這(zhe)一(yi)特(te)性(xing)與(yu)氧(yang)化(hua)物(wu)半(ban)導(dao)體(ti)的(de)結(jie)合(he)，使(shi)得(de)新(xin)架(jia)構(gou)實(shi)現(xian)了(le)驚(jing)人(ren)的(de)96%功耗降幅。

這項技術突破完全依托三星內部自主研發能力，由三星電子SAIT與半導體研究所的34名研究人員共同完成，展現了三星在存儲技術領域的深厚積累和創新實力。

推動AI生態係統發展，加速商業化進程

“我們已驗證了實現超低功耗NAND閃存的可行性。”三星電子SAIT研究員
、本研究第一作者Yoo Si-jeong表示，“在AI生態係統中，存儲器的角色日益關鍵。未來我們將持續推進後續研究，目標是實現該技術的商業化落地。”

這一技術突破正值三星全力提升其存儲業務盈利能力的關鍵時期。隨著DDR5

、LPDDR5X及GDDR7等DRAM產品需求持續攀升及價格上漲

，三星正重點優化高附加值產品的供應策略，以強化盈利結構。新型超低功耗NAND閃存技術的出現，不僅為三星在激烈的市場競爭中增添了重要籌碼，也為整個存儲行業的可持續發展指明了方向。

重塑產業未來，開啟存儲新紀元

三星此次NAND閃存技術的突破性進展，預示著存儲芯片行業即將迎來一場深刻的變革。在人工智能
、雲計算、物聯網等技術快速發展的背景下
，低功耗
、高性能的存儲解決方案將成為推動數字經濟發展的關鍵要素。隨著這項技術的不斷完善和商業化推進，我們有望在不久的見證更高效、更環保的數據中心和移動設備的誕生
，真正開啟智能存儲的新紀元。