【導讀】danhuajiaqijianshidisandaibandaotizhongdedianxingdaibiao，juyoujikuaidekaiguansudu
，nenggouxianzhutishenggonglvbianhuanqidexingneng，shoudaodianyuangongchengshideqinglai。tongshi，jikuaidekaiguansuduyouduiqidongtaitexingdeceshitichulegenggaodeyaoqiu，shaoyoubushenjiuhuidedaocuowujieguo。

未來高壓氮化镓器件在工業和能源應用市場將會有更大的發展空間

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傳統氮化镓器件多用於消費類電子市場，研發高壓氮化镓器件將有助於在電力電子、新能源和電動汽車行業開拓新的應用市場。量芯微（GaNPower）是全球第一家推出1200V高壓矽基氮化镓功率器件的廠家。這次測試的1200伏TO-252封裝的氮化镓器件GPIHV15DK

，在市場上具有標誌性意義，傳統的氮化镓功率器件最高電壓普遍停留在低壓應用。

為了能夠實現對GaN HEMT功率器件動態特性進行精準測試，對應的測試係統往往需要注意以下幾點：

1. 測量設備具有足夠的帶寬，確保開關過程不被濾波

針對此要求，泰克科技的功率器件動態特性測試係統DPT1000A中配置了業內領先的示波器MSO5（1GHz帶寬）、光隔離探頭TIVP1（1GHz帶寬）

、高壓無源探頭TPP0850（800MHz帶寬）、Shunt（500MHz帶寬）

2. 探頭與測量點之間實現最小回路連接，減小測量回路中額外引入的寄生參數
，避免測量結果中出現並不存在的震蕩或其他異常波形

3. 控製測試板中功率回路和驅動回路的電感
，避免開關波形出現嚴重震蕩或超出器件安全工作範圍

針對要求2和3
，泰克科技為GaN HEMT功率器件提供了專用測試板以確保測試效果
，其具有以下特點：

a. 元器件布局緊湊

、驅動電路靠近器件，盡量減小功率回路和驅動回路電感

b. 針對不同封裝類型的器件，提供焊接和壓接兩種形式

，既可以避免傳統Socket引入過量的寄生電壓，又能夠確保器件牢固可靠。

c. 光隔離探頭TIVP1
、高壓無源探頭TPP0850與PCB連接時采用專用測試座
，盡量減少了引入測量回路的電感，同時還確保了測量的重複性。

以TO-252測試板為例
，我們可以看到其上的各功能模塊

• 下管器件：量芯微的1200伏氮化镓器件GPIHV15DK

• 上管器件：TO-252封裝的1200伏碳化矽二極管

• 測試點：柵極的信號的測試點，主回路電流的測試點，源漏極Vds的電壓的測試點

泰克DPT1000A功率器件動態特性測試係統集成了MSO58B高分辨率多通道示波器、光隔離探頭以及雙通道的任意波形發生器等產品，可實現：

- 定製化係統設計 & 自動化測試軟件

- 高帶寬/高分辨率測試設備 , 在高速開關條件下準確表征功率器件

- 覆蓋高壓、中壓、低壓、pmos、GaN 等不同類型，不同封裝芯片測試

- 可以提供單脈衝、雙脈衝
、反向恢複、Qg、短路測試等測試功能

進入到1200V意味著氮化镓器件在800伏fu電dian驅qu或huo其qi他ta高gao壓ya應ying用yong上shang將jiang發fa揮hui重zhong要yao作zuo用yong，同tong時shi相xiang比bi於yu碳tan化hua矽gui器qi件jian

，在zai成cheng本ben上shang也ye會hui有you更geng大da的de優you勢shi，證zheng明ming未wei來lai高gao壓ya氮dan化hua镓jia器qi件jian在zai工gong業ye和he能neng源yuan應ying用yong市shi場chang將jiang會hui有you更geng大da的de發fa展zhan空kong間jian。

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