【導讀】現階段半導體市場

，900V-1500V的超高壓MOSFET幾乎被進口品牌壟斷，並存在價格高、交(jiao)付(fu)周(zhou)期(qi)長(chang)等(deng)問(wen)題(ti)，為(wei)填(tian)補(bu)國(guo)內(nei)該(gai)項(xiang)係(xi)列(lie)產(chan)品(pin)的(de)市(shi)場(chang)空(kong)白(bai)，瑞(rui)森(sen)半(ban)導(dao)體(ti)采(cai)用(yong)新(xin)型(xing)的(de)橫(heng)向(xiang)變(bian)摻(chan)雜(za)技(ji)術(shu)，利(li)用(yong)特(te)殊(shu)的(de)耐(nai)壓(ya)環(huan)和(he)晶(jing)胞(bao)設(she)計(ji)，研(yan)發(fa)出(chu)電(dian)壓(ya)更(geng)高(gao)、導通內阻更低的超高壓係列MOS管
，打破了進口品牌壟斷的局麵 。

一、破局進口品牌壟斷

現階段半導體市場，900V-1500V的超高壓MOSFET幾乎被進口品牌壟斷


，並存在價格高、交(jiao)付(fu)周(zhou)期(qi)長(chang)等(deng)問(wen)題(ti)
，為(wei)填(tian)補(bu)國(guo)內(nei)該(gai)項(xiang)係(xi)列(lie)產(chan)品(pin)的(de)市(shi)場(chang)空(kong)白(bai)
，瑞(rui)森(sen)半(ban)導(dao)體(ti)采(cai)用(yong)新(xin)型(xing)的(de)橫(heng)向(xiang)變(bian)摻(chan)雜(za)技(ji)術(shu)，利(li)用(yong)特(te)殊(shu)的(de)耐(nai)壓(ya)環(huan)和(he)晶(jing)胞(bao)設(she)計(ji)，研(yan)發(fa)出(chu)電(dian)壓(ya)更(geng)高(gao)、導通內阻更低的超高壓係列MOS管
，打破了進口品牌壟斷的局麵 。

二
、產品應用及特點

超高壓的器件主要應用場景為音響電源、變頻器電源
、逆變器、DC-DC轉換、工業三相智能電表、LED照明驅動等輔助電源。

產品特點：

1.新型的橫向變摻雜技術、超高電壓，超小內阻；

2.散熱性能好，高溫漏電小，高溫電壓跌落小；

3.開關速度較低，具有更好的EMI兼容性；

4.產品性能高
，可實現國產替代進口。

三
、產品型號匹配應用

瑞森半導體超高壓MOSFET-RS9N90F產品匹配：

可替代國外品牌多個產品型號，如：意法STF9NK90Z
， ON安森美FQPF9N90C。

超高壓MOSFET-RS9N90F漏源擊穿電壓高達900V，漏極電流最大值為9A，適用於LED照明驅動電源、變頻器電源
、音響電源等。

RS9N90F的開啟延遲典型值為50nS，關斷延遲時間典型值為86nS
，上升時間65nS，下降時間34nS
，反向傳輸電容4pF
，反向恢複時間550nS
，正向電壓的最大值為1V。其導通阻抗典型值為1.2Ω，最大功耗為68W，最大結溫為150℃。此產品的儲存溫度在-55℃到150℃
，可適用於大部分環境。

瑞森半導體超高壓MOSFET-RS3N150F產品匹配：

N溝道MOSFET--RS3N150F漏源擊穿電壓高達1500V，漏極電流最大值為3A，適用於逆變器
、工業三相智能電表、DC-DC轉換等，可以替代3N150等型號參數的場效應管。例如
，在工業三相智能電表上主要運用AC 380V變頻器反激式輔助電源其特點：

該MOS管VDS電壓1500V，在550V電壓上需留有1.5-2.5倍的餘量
，以2.5倍最高耐壓餘量計算就是需要耐壓1375V，故需要應用到1500V耐壓的MOS管，而RS3N150F耐壓VDS電壓為1500V滿足應用需求
；

其導通電阻為典型值5.5Ω
，可降低導通損耗，降低輸入電源功耗；續漏極電流在25℃時最大額定值為3A
，一般輔助電源功率在10幾V，電流餘量可滿足功率需求，同時最大結溫為150℃
，存儲溫度範圍均為-55℃到150℃，符合工業級溫度範圍
，可完全適用於工業市場。

四、典型應用拓撲圖

五、瑞森半導體產品推薦

RS3N150F的VDS電壓是1500V
，完全適合母線電壓高達800V的使用場景
，並留有足夠的防擊穿餘量
，同時瑞森半導體還推薦如下產品選型：

（來源：RS瑞森半導體）

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