SiC MOSFET:橋式結構中柵極-源極間電壓的動作
發布時間:2022-02-11 責任編輯:lina
【導讀】MOSFET和IGBT等電源開關元器件被廣泛應用於各種電源應用和電源線路中。另外,所使用的電路方式也多種多樣,除單獨使用外,還有串聯連接、並聯連接等多種使用方法。
前言
MOSFET和IGBT等電源開關元器件被廣泛應用於各種電源應用和電源線路中。另外,所使用的電路方式也多種多樣,除單獨使用外,還有串聯連接、並聯連接等多種使用方法。
其中,在將開關元件上下串聯連接的橋式結構中,通常交替地導通與關斷各個元器件。下麵是常規的橋式結構同步方式boost電路,波形圖是根據柵極信號交替地導通/關斷的低邊(LS)MOSFET和高邊(HS)MOSFET的漏極-源極間電壓(VDS)和漏極電流(ID)示例。

通tong過guo開kai關guan工gong作zuo,流liu過guo各ge元yuan件jian的de電dian流liu和he變bian化hua的de電dian壓ya以yi複fu雜za的de方fang式shi相xiang互hu影ying響xiang。尤you其qi是shi在zai處chu理li高gao電dian壓ya高gao電dian流liu的de電dian路lu中zhong,受shou安an裝zhuang電dian路lu板ban和he結jie線xian引yin起qi的de寄ji生sheng分fen量liang等deng影ying響xiang,產chan生sheng電dian壓ya和he電dian流liu的de動dong作zuo,並bing因yin此ci導dao致zhi工gong作zuo不bu穩wen定ding、效率下降,從而可能導致損耗增加、產生異常發熱等問題。
近年來,SiC MOSFET等deng高gao性xing能neng功gong率lv元yuan器qi件jian的de應ying用yong,使shi得de通tong過guo高gao速su開kai關guan轉zhuan換huan大da功gong率lv成cheng為wei可ke能neng,但dan在zai操cao作zuo過guo程cheng中zhong,需xu要yao對dui開kai關guan工gong作zuo有you深shen入ru的de了le解jie。在zai該gai係xi列lie文wen章zhang中zhong,我wo們men將jiang著zhe眼yan於yuMOSFET橋式結構中的各MOSFET的柵極-源極間電壓的動作,以簡單的同步方式boost電路為例,對以下內容進行探討:
・MOSFET的橋式結構與同步方式boost電路
・柵極驅動電路與導通/關斷工作
・因dVDS/dt、dID/dt而產生的電流和電壓
・導通時柵極信號的動作
・關斷時柵極信號的動作
(來源:Rohm)
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