PCB的DDR4布線指南和PCB的架構改進
發布時間:2022-01-24 責任編輯:lina
【導讀】計算機領域總是在持續不斷地進步,始終有發展變化和更新迭代等待著我們去體驗和探索。從頭開始打造一台新的 PC 是一種令人愉悅的體驗,有新一代標準時更是如此。
計算機領域總是在持續不斷地進步,始終有發展變化和更新迭代等待著我們去體驗和探索。從頭開始打造一台新的 PC 是一種令人愉悅的體驗,有新一代標準時更是如此。說到這裏,我們不得不提到有關隨機存取存儲器 (RAM) 的話題。具體來說是 DDR4 RAM,這恰好是市場上目前的標準。RAM 的重要性眾所周知,如果我們問到任何計算機或網絡工程師,他們都會表示擁有再多的 RAM 也不為過。

基於 DDR4 實現的 PCB 架構改進
如上所述,計算機技術領域的格局不斷發展變化。隨著新標準的出現,設備架構需要作出相應調整。這一表述同樣適用於從 DDR3 到 DDR4 的代際標準變化。
隨機存取存儲器的這些進步也顯著提升了整體性能。因此,想要利用最新的 RAM,就需要改變 PCB 設計;正如 USB 標準從 USB 2.0 發展到 USB 3.0 時一樣。隨著市場對更強處理能力、更佳性能和更高級功能的需求不斷推動行業的發展,這些類型的改變是持續且必要的。
盡管大多數人不會注意到或看到 PCB 設計所需的架構變化,但這並沒有降低這些關鍵變化的重要性。
1. 實現 DDR4,PCB Layout 需要作出什麼改變?
雙倍數據速率 4 (Double Data Rate 4)簡稱 DDR4,有兩種不同的模塊類型。其中一種模塊類型是小型雙列直插式內存模塊(260 個引腳),簡稱 So-DIMM,用於筆記本電腦等便攜式計算設備。另一種模塊類型是雙列直插式內存模塊(288 個引腳),簡稱 DIMM,用於台式機和服務器等設備。
因此,架構的第一個變化當然是引腳數所致。上一迭代 (DDR3) 的 DIMM 使用 240 個引腳,So-DIMM 為 204 個引腳。而前文提到的 DDR4 的 DIMM 使用 288 個引腳。隨著引腳或觸點的增加,DDR4 提供更大的 DIMM 容量、更好的數據完整性、更快的下載速度和更高的能效。

各種類型的 DDR RAM 芯片。
與這種整體性能改進一同出現的還有一種彎曲設計(底部),可以實現更好、更安全的連接,並提高安裝過程中的穩定性和強度。此外,台架測試證明,DDR4 使性能提升了 50%,最高可達 3,200 MTs(每秒兆傳輸率)。
而且,這些性能提升是在降低功耗的情況下實現的:每個 DIMM僅耗費1.2 伏,而不是上一代標準要求的 1.5 至 1.35 伏。所有這些變化意味著 PCB 設計人員必須重新評估設計方法來實現 DDR4。
2. PCB DDR4 設計指南
如果我們希望電子設備或元件以最佳水平運行,則需要精準的 PCB 設計,其中包括 DDR4 的實現。這一點很好理解。除了需要設計精度之外,還必須符合當今的內存。
PCB 設(she)計(ji)人(ren)員(yuan)也(ye)必(bi)須(xu)考(kao)慮(lv)各(ge)種(zhong)其(qi)他(ta)因(yin)素(su),例(li)如(ru)空(kong)間(jian)分(fen)配(pei)和(he)關(guan)鍵(jian)連(lian)接(jie)。還(hai)需(xu)要(yao)管(guan)理(li)初(chu)始(shi)設(she)計(ji)階(jie)段(duan),因(yin)為(wei)想(xiang)要(yao)成(cheng)功(gong)實(shi)施(shi),設(she)計(ji)必(bi)須(xu)滿(man)足(zu)布(bu)線(xian)拓(tuo)撲(pu)和(he)設(she)計(ji)規(gui)範(fan)。
為了有效管理數據,PCB 應遵循布線和最佳實踐 (PCB),否則會導致若幹問題,包括易感性和輻射發射。PCB 設計人員還應該利用適當的技術來實現大規模扇出和高邊緣速率,以保持低誤碼率和 1.6 至 3.2 Gbps 的數據範圍。同樣,如果沒有適當的設計技術,我們的 PCB 將遇到信號完整性問題並導致串擾和由此產生的(過度)抖動。
3. DDR4 布線指南以及長度和間距規則
在 PCB 設計中,想要實現最佳布線路徑,需要正確放置 DIMM 連接器和正確使用內存芯片。一般來說,DDR4 SDRAM 需要更短的布線和適當的間距,以實現峰值時序和最佳信號完整性。PCB 設計人員還應在相關信號組中進行引腳交換。此外,在實現過程中,應避免信號布線位於空隙處、信號層布線彼此相鄰以及參考平麵分割。
同時,如果可以的話,我們還應該在電源層或適當的接地 (GND) 之間進行存儲器接口信號布線。此外,可以通過在同一層的同一字節通道組中進行 DQ(輸入/輸出數據)、DQS(數據選通)和 DM(數據掩碼)信號布線來幫助減少或消除傳輸速度差異。與 DQS 信號相比,時鍾信號的傳播延遲更長,因此時鍾信號的走線長度通常需要比雙列直插式內存模塊中最長的 DQS 走線更長。
最後,我們必須牢記,每個電路板堆疊都是不同的,間距要求也是如此。因此,必須利用場求解器 (如Cadence Clarity™ 3D Solver) 在臨界信號之間建立低於 -50dB 的串擾。請注意:從時鍾到 DQS 沒有長度要求,但是從時鍾到命令/控製/地址有長度要求。長度要求取決於材料的 Dk(介電常數)和每個 SDRAM 的負載。
4. DDR4 層分配和數據通道參考
可以將 DQS、DQ 和 DM 網絡分配給堆疊中任何可用的內部帶狀線層。而地址/命令/控製和時鍾應在更靠近 SDRAM 的層上進行布線,以最大限度地減少過孔耦合。
地址/命令/控製 SDRAM 過孔應該在每個 SDRAM 處添加連接到接地的過孔(陰影過孔),以減少過孔耦合。
此外,地址和控製參考電源層或接地取決於控製器。需要注意的是,DIMM 有地址和控製參考電源層,而板載 BGA(球柵陣列)很少有地址和控製參考電源層。

DDR4 會給設計增添大量的複雜性,但遵守指南可以緩解這種情況。
DDR4 與上一代標準 (DDR3) 一yi樣yang,在zai實shi現xian時shi需xu要yao新xin的de設she計ji方fang法fa。顯xian然ran,為wei了le適shi應ying升sheng級ji後hou的de性xing能neng,設she計ji要yao求qiu有you所suo變bian動dong,這zhe是shi創chuang新xin的de副fu作zuo用yong。然ran而er,遵zun循xun正zheng確que的de設she計ji和he拓tuo撲pu技ji術shu可ke以yi最zui大da程cheng度du地di利li用yong這zhe一yi當dang代dai的de新xin標biao準zhun來lai提ti升sheng性xing能neng。
無論是要實現任何形式的 DDR 內存,還是從事於對信號要求特別高的設計,Cadence 的設計和分析工具套件都能助您一臂之力。Allegro® PCB Designer 不僅可以為您提供對元件進行恰當放置和布線的布局解決方案,而且還能提供一整套工具來加強分析和生產,確保設計比您預期的“雙倍數據速率”更快。
(來源:Cadence楷登PCB及封裝資源中心)
免責聲明:本文為轉載文章,轉載此文目的在於傳遞更多信息,版權歸原作者所有。本文所用視頻、圖片、文字如涉及作品版權問題,請電話或者郵箱聯係小編進行侵刪。
推薦閱讀:
- 噪聲中提取真值!瑞盟科技推出MSA2240電流檢測芯片賦能多元高端測量場景
- 10MHz高頻運行!氮矽科技發布集成驅動GaN芯片,助力電源能效再攀新高
- 失真度僅0.002%!力芯微推出超低內阻、超低失真4PST模擬開關
- 一“芯”雙電!聖邦微電子發布雙輸出電源芯片,簡化AFE與音頻設計
- 一機適配萬端:金升陽推出1200W可編程電源,賦能高端裝備製造
- 1200餘家企業齊聚深圳,CITE2026打造電子信息產業創新盛宴
- 掌握 Gemini 3.1 Pro 參數調優的藝術
- 築牢安全防線:電池擠壓試驗機如何為新能源產業護航?
- Grok 4.1 API 實戰:構建 X 平台實時輿情監控 Agent
- 電源芯片國產化新選擇:MUN3CAD03-SF助力物聯網終端“芯”升級
- 車規與基於V2X的車輛協同主動避撞技術展望
- 數字隔離助力新能源汽車安全隔離的新挑戰
- 汽車模塊拋負載的解決方案
- 車用連接器的安全創新應用
- Melexis Actuators Business Unit
- Position / Current Sensors - Triaxis Hall






