受shou限xian於yu有you限xian的de空kong間jian，要yao實shi現xian一yi個ge成cheng功gong的de設she計ji，關guan鍵jian之zhi處chu通tong常chang在zai於yu減jian小xiao電dian源yuan尺chi寸cun。人ren們men始shi終zhong麵mian臨lin著zhe一yi個ge挑tiao戰zhan
，即ji在zai更geng小xiao的de空kong間jian內nei實shi現xian更geng大da的de功gong率lv。更geng廣guang泛fan地di說shuo電dian源yuan器qi件jian的de小xiao型xing化hua將jiang繼ji續xu在zai現xian有you基ji礎chu上shang推tui動dong新xin的de市shi場chang和he應ying用yong 的發展。

 

 

數十年來，功率密度變得越來越高，這一行業發展趨勢已成為一個不爭的事實
，預計這一趨勢仍將繼續。圖 1 顯示了 6A 至 10A dianyuanmokuaidezhuanhuanqichicunsuishijiantuiyierbuduanjianxiaodeqingkuangjishudejinbukeyirangchicunjianshaohuoranggonglvshuchunenglidedaodafutishengmeitiaoshixiandaibiaolexinyidaijishu，bingzhanshiletigaogonglvmidukedailaidexiangguanhaochu。

 

圖 1. 隨著新一代技術的發展，電源模塊的尺寸會隨著時間的推移而減小。

 

gonglvmidudetigaotongchangyuxiaolvhuochengbendengqitalingyudefazhanxixixiangguan。yibaneryan，gonglvzhuanhuanxiaolvdegenbenxingtigaokejianxiaojiejuefangandechicun。jianxiaochicunhuidailaiyixilieliansuofanying，wulicailiaogengshao、組件更少、成本結構更好、解決方案集成更多以及總體擁有成本更低，從而實現成本的節省。

 

什麼是功率密度？

 

功率密度是衡量在給定空間內可以處理多少功率的指標 可量化為每單位體積處理的功率量
，單位為瓦/立方米 (W/m3) 或瓦/立方英寸 (W/in3)。這些值是基於轉換器的額定功率以及電源解決方案（所有組件包含在內）的“箱體體積”（長度 x 寬度 x 高度）計算得出的，如圖 2 所示。可以將單位縮放到適當的功率等級或大小。例如，千瓦/升是電動汽車車載充電器的常見品質因數 (FoM)，因為這些功率轉換器可提供千瓦級的功率（介於 3kW 到 22kW 之間）。

 

 

 

電流密度是一種與功率密度有關的指標，它非常有用，可以量化為單位體積的電流，單位為安培/立方英寸或安培/立方毫米。轉換器的額定電流（通常是輸入電流或輸出電流）可用於計算電流密度。電流密度通常是更適合應用於負載點穩壓器等應用的 FoM。這些設計的大小與輸出電流成比例

，並且輸出電壓電平通常較低，約為 1V。通tong過guo假jia定ding一yi個ge不bu切qie實shi際ji的de高gao輸shu出chu電dian壓ya，可ke對dui功gong率lv密mi度du值zhi進jin行xing人ren為wei地di誇kua大da。因yin此ci，電dian流liu密mi度du是shi一yi個ge更geng為wei有you效xiao的de指zhi標biao，因yin為wei它ta將jiang輸shu出chu電dian壓ya排pai除chu在zai考kao慮lv因yin素su之zhi外wai。 

 

有you時shi體ti積ji密mi度du並bing不bu重zhong要yao。功gong率lv電dian子zi器qi件jian可ke能neng不bu受shou高gao度du限xian製zhi，因yin為wei設she計ji的de其qi他ta部bu分fen會hui相xiang當dang高gao。相xiang反fan，電dian路lu板ban麵mian積ji可ke能neng是shi限xian製zhi因yin素su。在zai這zhe些xie情qing況kuang下xia，提ti高gao功gong率lv密mi度du可ke能neng需xu要yao找zhao到dao堆dui疊die或huo 3D 集成組件的方法，以減少功率解決方案的空間占用。然後，您可以將用於比較解決方案優劣的指標修改為瓦/平方毫米或安培/平方英寸，從而突出關鍵的設計目標（如圖 3 所示）。

 

 

 

根據應用的不同，可通過幾種不同的方式查看功率密度，但目標一致：減小解決方案尺寸以提高功率密度。現在的問題是如何獲得功率密度帶來的那些好處。

 

限製功率密度的因素有哪些？

 

多duo年nian來lai，工gong程cheng師shi和he研yan究jiu人ren員yuan一yi直zhi致zhi力li於yu尋xun找zhao提ti高gao功gong率lv密mi度du的de方fang法fa。這zhe是shi一yi項xiang艱jian巨ju的de任ren務wu。大da多duo數shu公gong司si將jiang研yan究jiu重zhong點dian集ji中zhong在zai減jian小xiao用yong於yu能neng量liang轉zhuan換huan的de無wu源yuan組zu件jian的de尺chi寸cun上shang。電dian感gan器qi

、電容器、變壓器和散熱器通常占據了電源解決方案尺寸的最大部分

，如圖 4 所示。半導體開關和控製電路體積更小，集成度更高。

 

 

 

ruhejianxiaowuyuanzujiandechicun？yizhongjiandandejiejuefanganshizengjiakaiguanpinlv。kaiguanzhuanhuanqizhongdewuyuanzujianhuizaimeigekaiguanzhouqineicunchuheshifangnengliang。kaiguanpinlvyuegao
，qimeigezhouqineicunchudenengliangyueshao。liru，genjugongshi 1，即降壓轉換器中電感器的設計公式：

 

 

 

其中 L 是電感
，D 是占空比，ΔIL 是電感器電流紋波，FSW 是開關頻率
，VL 是電感器兩端的電壓。所需的電感 (L) 與開關頻率 (FSW) 成反比。隨著開關頻率的增加，電感減小。電感越小，所需的電感器也就越小，就越節省空間。圖 5 說明了在 400kHz 與 2MHz頻率下開關 3A
、36V 轉換器所需電感器的尺寸差異。

 

 

 

更(geng)高(gao)的(de)開(kai)關(guan)頻(pin)率(lv)還(hai)有(you)其(qi)他(ta)尺(chi)寸(cun)優(you)勢(shi)。增(zeng)大(da)開(kai)關(guan)頻(pin)率(lv)可(ke)以(yi)增(zeng)加(jia)控(kong)製(zhi)環(huan)路(lu)帶(dai)寬(kuan)，從(cong)而(er)可(ke)以(yi)用(yong)較(jiao)小(xiao)的(de)輸(shu)出(chu)電(dian)容(rong)滿(man)足(zu)瞬(shun)態(tai)性(xing)能(neng)要(yao)求(qiu)。您(nin)可(ke)以(yi)設(she)計(ji)具(ju)有(you)較(jiao)小(xiao)電(dian)感(gan)和(he)電(dian)容(rong)的(de)差(cha)模(mo)電(dian)磁(ci)幹(gan)擾(rao) (EMI) 濾lv波bo器qi
，並bing選xuan用yong不bu會hui使shi磁ci芯xin材cai料liao飽bao和he的de較jiao小xiao變bian壓ya器qi。那na麼me
，為wei什shen麼me人ren們men不bu能neng僅jin僅jin依yi靠kao增zeng加jia開kai關guan頻pin率lv來lai提ti高gao功gong率lv密mi度du呢ne

？事shi實shi證zheng明ming，說shuo起qi來lai容rong易yi做zuo起qi來lai難nan。即ji使shi將jiang電dian源yuan轉zhuan換huan器qi中zhong使shi用yong的de所suo有you無wu源yuan元yuan件jian縮suo小xiao到dao微wei不bu足zu道dao的de尺chi寸cun，也ye仍reng然ran有you機ji會hui減jian小xiao電dian源yuan解jie決jue方fang案an的de尺chi寸cun。電dian源yuan開kai關guan、柵極驅動器、模式設置電阻器
、反饋網絡組件、EMI 濾波器
、電流感應組件、接口電路
、sanreqihexuduoqitazujianzhanyonglebaoguidekongjian。zongtidianyuanshejidesuoyouzhexiefangmiandoushikeyitongguochuangxinlaitigaogonglvmidudelingyu。rangwomenhuiguyixiaxianzhishejirenyuantigaogonglvmidunenglidezhuyaoyinsu。

 

限製功率密度的因素：開關損耗

 

盡管增加開關頻率可以提高功率密度
，但在目前
，電源轉換器的開關頻率通常不高於兆赫茲範圍，這是因為：kaiguanpinlvdezengjiahuidailaibuliangfuzuoyong，yehuidaozhikaiguansunhaozengjiahexiangguandewensheng。zhezhuyaoshiyouyixiezhuyaodekaiguansunhaoyinqide。yaolejiezhexiekaiguansunhao，womenyoubiyaoshouxianjieshaoyixiexingyeshuyu。zaibandaotiqijianzhong，yugaiqijianxiangguandedianheliangtongchangyudaotongzhuangtaidianzuyouguan。jiaodidedianzuhuidaozhijiaogaodezhajidianhehejishengdianrong。dianzuhedianhedezhezhongquanhengtongchangtongguo RQ FoM 進行量化，RQ FoM 定ding義yi為wei器qi件jian的de導dao通tong電dian阻zu乘cheng以yi總zong電dian荷he，其qi中zhong總zong電dian荷he是shi指zhi必bi須xu提ti供gong給gei端duan子zi以yi在zai工gong作zuo電dian壓ya下xia開kai關guan器qi件jian所suo需xu的de電dian荷he。此ci外wai
，器qi件jian為wei達da到dao目mu標biao電dian阻zu所suo占zhan用yong的de麵mian積ji通tong常chang稱cheng為wei電dian阻zu與yu麵mian積ji的de乘cheng積ji(Rsp)。您可以通過減少金屬氧化物半導體場效應晶體管 (MOSFET) 的導通狀態電阻 (RDS(on)) 來降低傳導損耗。然而，減少 RDS(on) yejiangdaozhiyuqijiankaiguanxiangguandesunhaozengjia
，bingzengjialuopianzongmianjihechengben。genjushixianheyingyongdebutong
，butongdekaiguansunhaoduizongtigonglvsunhaodeyingxiangkenenghuiyousuobutong。youguanmeizhongleixingsunhaodegengduoxiangxixinxi，qingcanjianyingyongbaogao“同步降壓轉換器的功率損耗計算和共源電感注意事項”。出於闡述本文觀點的目的
，我們來看一個降壓轉換器示例，並重點介紹與每個損耗分量相關的關鍵限製因素。

 

 

 

關鍵限製因素 2：反向恢複損耗

 

在降壓轉換器中
，當高側 MOSFET 導通，同時低側MOSFET 的體二極管導通電流時，會發生反向恢複，從而迫使低側二極管電流迅速過渡至高側 MOSFET。在該過渡過程中，需要電流來消除會造成直接開關損耗的低側二極管少數電荷。請參見公式 4：

 

 

 

降低二極管反向恢複影響的最佳方法之一是通過優化 MOSFET 設計來減少存儲的 電荷 (QRR)，或者減少或消除上升沿死區時間
，從而完全消除損耗的影響。

 

關鍵限製因素 3：導通和關斷損耗

 

寄生環路電感會導致許多與開關相關的損耗
，這會大大降低效率。讓我們再次以通過高側 MOSFET 傳導電感電流的降壓轉換器為例。關閉高側開關會中斷通過寄生電感的電流。瞬態電流 (di/dt) 以及寄生環路電感會引起電壓尖峰。di/dt zhiyuegao

，kaiguansunhaoyuedi
，congerdaozhiqijiandianyayingliyuegao。zaimouxieguanduansuduxia，jiangyazhuanhuanqigaocekaiguanhuifashengjichuan。yinci，ninbixushenshendikongzhikaiguansudu，zuidaxianduditigaoxiaolv，tongshijiangzhiliu/直流轉換器放置在安全工作區域內。此外
，降低高側 MOSFET 的漏極電荷也會導致其上出現額外的電壓尖峰
，這是因為作為電感/電(dian)容(rong)網(wang)絡(luo)的(de)一(yi)部(bu)分(fen)，用(yong)於(yu)吸(xi)收(shou)寄(ji)生(sheng)環(huan)路(lu)電(dian)感(gan)中(zhong)所(suo)存(cun)儲(chu)能(neng)量(liang)的(de)電(dian)容(rong)較(jiao)小(xiao)。這(zhe)帶(dai)來(lai)了(le)另(ling)一(yi)個(ge)挑(tiao)戰(zhan)，因(yin)此(ci)最(zui)好(hao)是(shi)將(jiang)漏(lou)極(ji)電(dian)荷(he)保(bao)持(chi)在(zai)盡(jin)可(ke)能(neng)低(di)的(de)水(shui)平(ping)
，以(yi)減(jian)少(shao)前(qian)麵(mian)提(ti)到(dao)的(de)與(yu)電(dian)荷(he)相(xiang)關(guan)的(de)損(sun)耗(hao)。要(yao)減(jian)輕(qing)與(yu)這(zhe)些(xie)寄(ji)生(sheng)效(xiao)應(ying)相(xiang)關(guan)的(de)總(zong)損(sun)耗(hao)
，通(tong)常(chang)需(xu)要(yao)減(jian)少(shao)環(huan)路(lu)電(dian)感(gan)本(ben)身(shen)
，同(tong)時(shi)采(cai)用(yong)其(qi)他(ta)柵(zha)極(ji)驅(qu)動(dong)器(qi)技(ji)術(shu)。

 

限製功率密度的因素：熱性能

 

在上一部分中，我們重點介紹了在直流/zhiliuzhuanhuanqizhongchanshengyukaiguanxiangguandesunhaodeguanjianjizhi。yingxiangzongtigonglvmidudelingyigeguanjianyinsushixitongderexingneng。fengzhuangdesanrexiaoguoyuehao，tongchangkeyichengshoudegonglvsunhaojiuyueduo
，erbuhuichuxianbuhelidewenshengqingkuang。zhexieyinsutongchanghuibaohanzaishujubiaocanshuzhong，lirujiezhihuanjingrezu (RΘJA)

，以及對應用條件的仔細估算。

 

對封裝和印刷電路板 (PCB) 進行熱優化的總體目標是降低電源轉換器損耗的同時減少溫升。隨著電源設計朝著小型化和降低成本的趨勢發展，直流/直(zhi)流(liu)轉(zhuan)換(huan)器(qi)解(jie)決(jue)方(fang)案(an)的(de)整(zheng)體(ti)尺(chi)寸(cun)縮(suo)小(xiao)了(le)。這(zhe)使(shi)得(de)係(xi)統(tong)級(ji)熱(re)設(she)計(ji)變(bian)得(de)越(yue)來(lai)越(yue)困(kun)難(nan)
，因(yin)為(wei)更(geng)小(xiao)的(de)矽(gui)片(pian)和(he)封(feng)裝(zhuang)尺(chi)寸(cun)通(tong)常(chang)會(hui)導(dao)致(zhi)更(geng)差(cha)的(de)熱(re)性(xing)能(neng)
，如(ru)圖(tu) 6 所示。

 

 

圖 6 清楚地表明，隨著封裝尺寸
、裸片尺寸和總體功率密度的提高，預期的熱性能會迅速下降

，除非您優先考慮創新封裝熱

 

圖 6 清楚地表明
，隨著封裝尺寸

、裸片尺寸和總體功率密度的提高，預期的熱性能會迅速下降，除非您優先考慮創新封裝熱性能（將熱量散發出去）並減少功率損耗（產生更少熱量）。

 

如何突破限製功率密度的障礙

 

針zhen對dui上shang述shu所suo言yan的de任ren一yi關guan鍵jian因yin素su進jin行xing重zhong點dian研yan究jiu，都dou可ke以yi提ti高gao器qi件jian的de總zong體ti功gong率lv密mi度du。但dan是shi
，要yao真zhen正zheng實shi現xian以yi前qian難nan以yi企qi及ji的de功gong率lv密mi度du，您nin必bi須xu多duo措cuo並bing舉ju，並bing行xing采cai取qu多duo種zhong方fang式shi來lai克ke服fu限xian製zhi功gong率lv密mi度du的de每mei個ge因yin素su：降低開關損耗
；提高封裝熱性能；采用創新的拓撲和電路；最後但同樣重要的一種方式是集成。

 

開關損耗創新

 

為了獲得出色的器件性能和 FoM

，對(dui)半(ban)導(dao)體(ti)技(ji)術(shu)進(jin)行(xing)投(tou)資(zi)顯(xian)然(ran)是(shi)必(bi)要(yao)的(de)。這(zhe)可(ke)能(neng)包(bao)括(kuo)用(yong)於(yu)改(gai)進(jin)現(xian)有(you)技(ji)術(shu)的(de)創(chuang)新(xin)
，或(huo)者(zhe)開(kai)發(fa)本(ben)質(zhi)上(shang)性(xing)能(neng)更(geng)好(hao)的(de)新(xin)材(cai)料(liao)
，例(li)如(ru)用(yong)於(yu)更(geng)高(gao)電(dian)壓(ya)開(kai)關(guan)應(ying)用(yong)的(de)氮(dan)化(hua)镓(jia) (GaN) 技術。圖 7 比較了使用德州儀器 (TI) 的不同電源處理技術的 3.3V 至 1.8V 降壓轉換器。TPS54319 采用 TI 以前的電源處理節點
，而 TPS62088 采用 TI 的最新電源處理節點，其具有更低的 RQ FoM。如效率曲線所示，與以 2MHz 頻率進行開關的 TPS54319 相比，TPS62088 能夠以 4MHz 頻率進行開關
，同時保持幾乎相同的效率。這可以使外部電感器的尺寸減半。此外

，由於 TI 的新型電源處理節點還可以顯著降低 Rsp，因此整體封裝尺寸從 4mm2 下降到了0.96mm2。盡管從功率密度的角度來看

，這種尺寸減小非常具有吸引力，但它也帶來了與溫升有關的挑戰
，我們將在下一部分中討論這一問題。

 

 

 

GaN 集獨特的零反向恢複、低輸出電荷和高壓擺率於一體，實現了新的圖騰柱拓撲，例如無橋功率因數校正。這些拓撲具有矽 MOSFET 無法實現的更高效率和功率密度。圖 8 顯示了 TI 的 GaN 技術在 600V電壓下與業界一流的碳化矽 (SiC) 和超結矽器件之間的直接比較。

 

 

 

封裝散熱創新

 

將熱量從集成電路 (IC) fengzhuangzhongsanfachulaidenenglijiangzhijieyingxianggonglvmidu。zhengruwomenqianmiantidaode

，suizhefengzhuangchicundebuduansuoxiao，zhegewentibiandeyuelaiyuezhongyao。ciwai


，zaidianxingdedianyuanzhuanhuanqizhong，bandaotiqijiantongchangshijiejuefanganzhongzuiredebufen，zai Rsp 迅速縮小的情況下尤其如此。TI 已投資開發並引入了 HotRod™ 封裝
，它用倒裝芯片式封裝取代了典型的接合線四方扁平無引線封裝(QFN)。圖 9 顯示了 HotRod QFN 如何在保持類 QFN封裝的同時消除接合線的情況。這樣可以大大降低倒裝芯片式封裝中常見的寄生環路電感，同時還保留了QFN 封裝熱性能的部分優勢。

 

 
 

圖 10 顯示了包含這些技術增強功能的 TI 產品。您可以看到

，該封裝有助於在封裝的中心實現一個大型 DAP。與上一代產品相比，該 DAP 具有約 15% 的溫升優勢。

 

 

 

同樣，在使用晶圓芯片級封裝 (WCSP) 時，大部分熱量直接從凸塊傳導出去，一直傳導到 PCB。WCSP 封裝中的凸塊麵積越大
，熱性能越好。TI 最近開發並發布了 PowerCSP™ 封裝，該封裝旨在通過用大型焊錫條代替 WCSP 中的一些典型圓形凸塊來改善封裝的散熱和電氣性能。圖 11 說明了該技術在 TPS62088中的示例實現。圖 11a 顯示了標準 WCSP 封裝
，而圖11b 顯示了采用 PowerCSP 封裝的同一器件。正如您所看到的，在係統沒有任何其他變化的情況下，溫升降低了 5% 左右。

 

 

 

先進的電路設計創新

 

較低 Rsp 和較低 RQ FoM 的不良後果是在漏極電荷減少的情況下
，導通轉換損耗會產生影響。通過圖 12，您(nin)可(ke)以(yi)看(kan)到(dao)，對(dui)於(yu)固(gu)定(ding)的(de)電(dian)壓(ya)過(guo)衝(chong)量(liang)
，隨(sui)著(zhe)漏(lou)極(ji)電(dian)荷(he)的(de)減(jian)少(shao)，這(zhe)種(zhong)降(jiang)壓(ya)轉(zhuan)換(huan)器(qi)的(de)關(guan)斷(duan)損(sun)耗(hao)會(hui)顯(xian)著(zhu)增(zeng)加(jia)。遇(yu)到(dao)這(zhe)種(zhong)需(xu)要(yao)權(quan)衡(heng)取(qu)舍(she)的(de)情(qing)況(kuang)時(shi)，盡(jin)管(guan) RQ FoM MOSFET 的性能在持續改進，但仍需要使用新的先進柵極驅動器知識產權 (IP) 來盡快開關 MOSFET，同時將其保持在電氣安全的工作範圍內。

 

 

 

在這方麵，TI 最近開發了一係列柵極驅動器技術，盡管 RQ FoM MOSFET 較低，但仍可實現非常快的開關速度，從而可獲得更好的充電和轉換損耗，同時仍將MOSFET 保持在其電氣安全的工作範圍內。正如您在比較圖 13a 和圖 13b 時所看到的，在保持峰值電壓應力固定不變的情況下，可以將關斷能量損耗減少79%。在某些設計中
，如圖 13b 所示，這種損耗降低可以在峰值效率點產生高達 4% 的效率提升。

 

 

 

除了先進的柵極驅動器技術以外，還有大量機會可以通過拓撲創新來提高功率密度。圖 14 展示了飛跨電容四電平 (FC4L) 轉換器拓撲
，該拓撲實現了許多關鍵的功率密度優勢，包括通過降低器件額定電壓、減小磁濾波器尺寸和改善熱分布來提高器件 FoM。這些優勢可轉化為改進的功率密度
，如圖 15 所示。與使用 SiC 的其他拓撲相比，TI 解決方案通過使用這種特殊的拓撲
，結合 GaN 的優勢和先進的封裝技術，大大減小了體積。

 

 

 

集成創新

 

shixianzuijiagonglvmidudezuihouyigefangfashijicheng。juyougaoxingjiabidejichengjianshaolejishengxiaoying，jianshaolewuliaoqingdan
，tigaolexiaolvbingjieshenglekongjian。jichengkeshiyongyudianyuanguanlideduogefangmian。takenengxuyaozai IC 中zhong添tian加jia更geng多duo的de電dian路lu，在zai封feng裝zhuang中zhong添tian加jia更geng多duo的de組zu件jian，或huo者zhe通tong過guo其qi他ta物wu理li或huo機ji械xie方fang式shi在zai電dian源yuan解jie決jue方fang案an中zhong封feng裝zhuang更geng多duo的de組zu件jian。在zai這zhe一yi領ling域yu中zhong
，一yi些xie技ji術shu領ling先xian的de例li子zi包bao括kuo與yu GaN FET 集成的驅動器
、用於降低關鍵環路電感的電容器集成以及無源組件的 3D 堆疊。添加帶有開關功率 FET 的柵極驅動器有很多好處。開關柵極驅動環路電感減小
，可使開關速度更高

、運行更穩定
、組件更少。GaN FET 尤其受益於這種集成。LMG3410 等器件還包括過流保護、過熱保護和監視等附加功能（請參見圖 16）。這種集成極大地簡化了電源管理解決方案，並使設計人員能夠實現 GaN必須提供的所有功能。

 

 

 

UCC12050 利用磁性組件集成來提供隔離式偏置電源，而無需外部變壓器。該方法減少了尺寸和設計複雜性並降低了 EMI。

 

 

 

通過集成實現的最後一個例子是組件的 3D 堆疊

，這通常發生在帶有集成無源組件的電源模塊中。圖 18以 TPS82671 為例。該器件將電源 IC 嵌qian入ru層ceng壓ya基ji板ban中zhong，並bing在zai頂ding部bu放fang置zhi一yi個ge電dian感gan器qi以yi及ji輸shu入ru輸shu出chu電dian容rong器qi。這zhe個ge極ji小xiao的de解jie決jue方fang案an不bu需xu要yao其qi他ta組zu件jian。簡jian單dan的de集ji成cheng概gai念nian可ke以yi取qu得de驚jing人ren的de效xiao果guo，節jie省sheng PCB 麵積並簡化電源解決方案。

 

 

 

結束語

 

顯xian而er易yi見jian
，整zheng個ge行xing業ye的de發fa展zhan趨qu勢shi功gong率lv密mi度du越yue來lai越yue高gao。實shi現xian更geng緊jin湊cou的de電dian源yuan解jie決jue方fang案an存cun在zai一yi些xie主zhu要yao限xian製zhi。要yao克ke服fu功gong率lv損sun耗hao和he熱re性xing能neng挑tiao戰zhan，就jiu需xu要yao在zai開kai關guan性xing能neng
、IC 封裝、dianlushejihejichengfangmianjinxingchuangxin。meiyizhongfangshibenshendouyouxianzhugaishangonglvmidudejihui，danshimeizhongjishudouyoubicironghe。yinci，tongguozuhegegeleibiedejishu，keyixianzhutigaogonglvmidu。bufangshexiangyixiawomenzuizhongnenggoushixiandezhezhongchanpin，tamenjuyouchusedekaiguanqijian FoM 和業界領先的封裝熱性能

，使用了多級拓撲並通過無源集成實現了最低環路電感。技術進步相互作用
，並最終實現功率密度突破。利用 TI 的先進工藝、封裝和電路設計技術，現在可以在更小的空間內實現更大的功率，並以更低的係統成本增強係統功能。