在嵌入式電路中經常使用IO口來控製某些電路的開關功能
，此時三極管可作為開關器件來使用。作為開關器件使用時需使用開關三極管如9014和9015等小功率器件
，此時三極管處於飽和狀態。現舉一例來說明該類電路特點：

為仿真電路圖不是很完整，該電路為晶振關閉功能電路，其中VO接MCU晶振輸入端如（XIN）。

　　

若Q1和Q3基極同時為低時，Q2導通而使得VO為0造成晶振停振關閉處理器。我們分析R3和R4（實際電路470K）使得Q2和Q3處於飽和態;Q3為Q1集電極負載，調整R5阻值時可控製Q1處於飽和態或放大態。要使Q2基極導通必須使Q1提供足夠大電流才滿足條件，隻有Q1處於放大態才滿足條件;

　　

R5=100K時，仿真圖如下：

R5=470K時，仿真圖如下：

通過以上分析可以得出隻有當電流足夠大時才能使Q2導通而關閉晶振，以上是一個較複雜的組合開關電路。

　　

zaiqianrushidianlushejizhong，henshaoshiyongdaogonglvfangdadianlu，zuotianjiangdaxuemodianjiaocaijingtiguanneirongtongduhouyousuoganwu，suirandangshimodianzirenweixuedebucuodanzhongduzhihoucaifaxiandangshizhishisijiyingbeiermeiyouzhenzhenglingwu。jingtaigongzuodianbudanjuedingshifouhuishizhen，erqiehaiyingxiangdianyafangdabeishu、shurudianzudengdongtaicanshu。ranerzaishijidianluzhongyouyuhuanjingwendudebianhuaershidejingtaigongzuodianbuwending，congershidedongtaicanshubuwending
，gengyanzhongkenengzaochengdianlubunengzhengchanggongzuo;在所有環境因素中
，溫度對動態參數的影響是最大的。當溫度升高時
，晶體管放大倍數變大且ICE明顯變大。以共射極電路為例
，當溫度升高時將使Q點向飽和區域移動;當溫度降低時將使Q點向截止區域移動。

　　

圖AB均有相同的等效直流電路。為了穩定Q工作點，通常要滿足I1》》IBQ而使得VBQ =Rb1*VCC/ Rb2+ Rb1通過這樣設計使得無論環境溫度怎麼變化，VBQ將基本保持不變。當溫度升高時ICE變大

，而使得VEQ變大，因VBE=VBQ – VEQ所以VBE將變小;由於VBE變小故IBE也將變小

，從而ICE將變小。RE的使用將直流負反饋引入使得Q工作點越穩定，一般而言是反饋越強，Q點越穩定。

　　

以上為利用二極管方向特性和正向特性進行溫度補償的電路。

　　

對圖A而言，因為IRB=ID+IBE，當溫度上升時ICE和ID變大（方向電流隨溫度升高變大），這樣將使得IBE減小而造成ICE減小。