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全麵揭秘Intel 14nm節點技術，工藝圖大曝光

發布時間：2014-09-07 責任編輯：sherryyu

【導讀】Intel 14nm工藝的過人之處大家有目共睹，但是和其他的相比又如何呢？日本同行PCWatch近日對Intel新工藝做了一番解析，更加凸顯了世界第一芯片巨頭的強悍。

我們詳細了解過Intel 14nm工藝的過人之處，但那基本隻是單一的介紹，沒有和其他廠商、其他工藝的正麵對比。日本同行PCWatch近日也對Intel新工藝做了一番解析，更加凸顯了世界第一芯片巨頭的強悍。

Intel 22nm工藝已經率先使用了3D立體晶體管，14nm上將進化到第二代，其他廠商則會陸續上馬類似的FinFET，包括台積電16nm、三星/GlobalFoundries14nm。

來看看幾個工藝的間距數據：

Intel 14nm

Intel 14nm的柵極間距為70nm，內部互聯最小間距為52nm，這兩項指標分別比22nm縮小了22％、35％。

相比之下，台積電16nm、三星/GF 14nm的柵極間距分別是90nm、78nm，前者隻相當於Intel 22nm的水平，後者也略弱一些，而內部互聯最小間距則都是64nm，相比於Intel大了23％。

這些間距越小，就可以把晶體管做得更小、更密，對於電路集成度、芯片性能的重要性不言而喻。

Intel 14nm

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Intel 14nm工藝的過人之處

Intel曾經自己高調宣揚過，整個世界也都承認，無與倫比的先進製造工藝是這家芯片巨頭永遠令人眼紅的優勢。14nm工藝雖然從年初拖到了年底，但到時候仍然是這個地球上最先進的。其他半導體企業紛紛減緩腳步或者合縱連橫的同時，Intel仍在堅持獨行，仍在引領世界。

Intel 14nm

隨著Broadwell-Y CoreM係列初步揭開麵紗，Intel也公布了14nm工藝的大量相關資料，介紹了它的發展情況和技術優勢。

簡單地說：

1、Intel 14nm工藝已經通過各項驗證，並在美國俄勒岡、亞利桑那工廠投入了量產，明年還會加入愛爾蘭工廠。

2、它使用了第二代Tri-Gate(FinFET)立體晶體管技術，擁有業界領先的晶體管性能、功耗、密度和成本。

3、Broadwell家族將首先采用14nm工藝製造，其後陸續擴展到Intel各條處理器產品線。

4、Intel 14nm不但自己用，還會為很多客戶代工大量產品，從高性能到低功耗均可(已拿下Altera、鬆下)。

Intel 14nm

事實上，14nm也是迄今為止Intel麵臨的最艱難的挑戰，Intel對此也是很坦誠，並沒有遮遮掩掩。根據官方數據，14nm工藝良品率初期低得要命，直到今年第二季度末才達到量產標準，預計2015年第一季度才能追上22nm的水平，後者迄今仍是Intel良品率最高的工藝。

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也隻有到了2015年上半年，14nm的良品率、產能兩個關鍵指標才能都滿足多條產品線的需求。這也正是Broadwell為什麼首發隻有一個超低壓版的CoreM係列，更多產品明年才會發布的根本原因。

下邊繼續跟隨Intel的幻燈片，一起看看14nm工藝的神氣，尤其是和現有的22nm好好對比對比。

Intel 14nm

22nm上率先引入了Tri-Gate三柵極立體晶體管技術，堪稱半導體曆史上的一次革命。雖然帶來了晶體管密度等方麵的一些問題，導致核心麵積過小、發熱密度升高，但仍然是大勢所趨，其他廠商紛紛引入，不過在名字上都叫做FinFET，異曲同工。

Intel 14nm

晶體管鰭片是最能反應該技術進步的地方。鰭片高度從34nm增至42nm(進步比例24％)，更高更薄可以改善驅動電流、性能；間距從60nm縮小到42nm(進步比例30％)，可以提高集成密度；整體所需鰭片數量減少，可以改進集成密度、降低電容。

Intel 14nm

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另外，晶體管柵極間距、互聯間距也分別縮小到了70nm、52nm，進步比例為22％、35％。

Intel 14nm

鰭片外圍覆蓋著的(黃色)就是金屬柵極。

Intel 14nm

層連最小間距也從80nm來到了52nm(進步比例35％)。

SRAM存儲單元的麵積，上代是0.108平方微米，現在僅為0.0588平方微米，進步比例達46％，幾乎縮小了一半。

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