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非隔離型柵極驅動器與功率元器件

發布時間：2021-08-05 責任編輯：wenwei

【導讀】ROHM不僅提供電機驅動器IC，還提供適用於電機驅動的非隔離型柵極驅動器，以及分立功率器件IGBT和功率MOSFET。我們將先介紹羅姆非隔離型柵極驅動器，再介紹ROHM超級結MOSFET PrestoMOSTM。

采用了無閂鎖效應SOI工藝的高可靠性非隔離型柵極驅動器

ROHM的非隔離型柵極驅動器是使用了自舉方式的高邊/低邊柵極驅動器。通過采用無閂鎖效應SOI工藝，實現了高可靠性。產生閂鎖效應時，會流過大電流，可能會導致IC或功率元器件損壞。可以通過元件布局和製造工藝來改善抗閂鎖性能，而ROHM的SOI（Silicon On Insulator）工藝通過SOI基板的完全介電分離法提高了耐壓性能，並且可以從結構上避免閂鎖效應。

反向恢複時間更短的超級結MOSFET：PrestoMOSTM

PrestoMOSTM是一種超級結MOSFET，以往的超級結MOSFET的問題在於內部寄生二極管的反向恢複時間trr特性，而PrestoMOSTM係列產品不僅具有更短的反向恢複時間trr，而且損耗更低。

與IGBT相比，PrestoMOSTM在中低功率範圍內的損耗電壓很小，因而可以減少損耗（參見左下圖）。另外，在電機驅動電路等電路中，還可以使用高速內部寄生二極管，而無需使用外置快速恢複二極管（FRD）來減少由普通MOSFET和IGBT的再生電流引起的換流損耗。與FRD相比，PrestoMOSTM的寄生二極管的VF更低，因此損耗也更低。