隨著數據存儲成本的降低，對舊數據的整理變得不那麼重要-所(suo)需(xu)的(de)存(cun)儲(chu)容(rong)量(liang)正(zheng)以(yi)前(qian)所(suo)未(wei)有(you)的(de)速(su)度(du)呈(cheng)螺(luo)旋(xuan)式(shi)增(zeng)長(chang)。因(yin)此(ci)
，保(bao)持(chi)數(shu)據(ju)中(zhong)心(xin)正(zheng)常(chang)運(yun)行(xing)所(suo)需(xu)的(de)電(dian)力(li)非(fei)常(chang)重(zhong)要(yao)，且(qie)還(hai)在(zai)持(chi)續(xu)快(kuai)速(su)增(zeng)長(chang)。估(gu)計(ji)目(mu)前(qian)數(shu)據(ju)中(zhong)心(xin)消(xiao)耗(hao)3％的美國電力，預計到2040年將達到15％。

 

nengyuananggui，quebaozugoudedianlikeyongshishujuzhongxinyunyingshangmianlindezhuyaotiaozhan。lingyigeangguideshangpinshikongjianzhanwei
，shujuzhongxindezhanweiyezaizengjia，yirongnameinianzengjiayiqianwantaifuwuqi。weilekongzhichengben
，shujuzhongxinyunyingshangzhengmouqiushiyonggengshaodedianli

，bingjianshaoqizhanwei。

 

為wei實shi現xian這zhe些xie目mu標biao，電dian源yuan係xi統tong必bi須xu提ti高gao能neng效xiao，減jian少shao廢fei熱re
，減jian少shao熱re管guan理li問wen題ti

，並bing且qie功gong率lv密mi度du可ke增zeng加jia，從cong而er減jian小xiao整zheng體ti尺chi寸cun。因yin提ti高gao能neng效xiao而er降jiang低di溫wen度du也ye有you助zhu於yu提ti高gao可ke靠kao性xing
，這zhe在zai數shu據ju中zhong心xin中zhong非fei常chang有you用yong。

 

為了實現這性能和可靠性，電源係統越來越精密，且集成度更高，尤其是在功率開關MOSFET及其相關驅動器領域。更多的功能被納入以確保最高水平的正常運行時間

，包括熱插拔設備如風扇和磁盤驅動器的能力。

 

功率密度的下一級水平是智能功率級（SPS）方案
，集成MOSFET、驅動器和檢測電流及溫度的感測器。這方案支持構成部分相互匹配和優化，從而實現分立方案無法實現的性能水平。

 

 

MOSFET技術已顯著改進，能在非常高效和緊湊的封裝中集成控製IC和MOSFET。例如，安森美半導體最近推出了NCP3284 1MHz DC-DC轉換器
，具有30A能力，並提供多種保護功能，占位5mm x 6mm。以更高的頻率工作可減小外部無源器件的尺寸
，從而增加整體功率密度。

 

eFuse如NIS5020、NIS5820和NIS6150在(zai)數(shu)據(ju)中(zhong)心(xin)應(ying)用(yong)中(zhong)發(fa)揮(hui)重(zhong)要(yao)作(zuo)用(yong)。這(zhe)些(xie)基(ji)於(yu)智(zhi)能(neng)半(ban)導(dao)體(ti)的(de)器(qi)件(jian)在(zai)電(dian)力(li)係(xi)統(tong)中(zhong)至(zhi)關(guan)重(zhong)要(yao)，需(xu)要(yao)在(zai)移(yi)除(chu)負(fu)載(zai)時(shi)保(bao)持(chi)電(dian)源(yuan)接(jie)通(tong)。這(zhe)樣(yang)，就(jiu)可(ke)以(yi)先(xian)更(geng)換(huan)出(chu)現(xian)故(gu)障(zhang)的(de)部(bu)件(jian)如(ru)風(feng)扇(shan)或(huo)磁(ci)盤(pan)驅(qu)動(dong)器(qi)等(deng)，並(bing)允(yun)許(xu)進(jin)行(xing)例(li)行(xing)維(wei)護(hu)如(ru)升(sheng)級(ji)磁(ci)盤(pan)驅(qu)動(dong)器(qi)，同(tong)時(shi)保(bao)持(chi)係(xi)統(tong)運(yun)行(xing)。

 

數據中心中電源相關技術最重大的變化也許是用現代寬禁帶材料如氮化镓（GaN）或碳化矽（SiC）替ti代dai傳chuan統tong的de矽gui基ji器qi件jian的de趨qu勢shi。基ji於yu這zhe些xie材cai料liao的de器qi件jian不bu僅jin能neng在zai更geng高gao的de頻pin率lv和he更geng高gao的de溫wen度du下xia運yun行xing
，而er且qie本ben質zhi上shang能neng效xiao更geng高gao，從cong而er創chuang建jian了le數shu據ju中zhong心xin所suo需xu的de更geng小xiao
、更冷卻、更可靠的高能效方案。

 

 

盡管SiC 基MOSFET的成本仍高於矽基MOSFET，但成本卻下降了
，電感和電容器的相關節省（其值低於矽設計）意味著SiC基電源方案的物料單(BoM)成本現在比矽設計更低。預計這將成為轉折點，導致更快地采用WBG技術，從而進一步降低成本。

 

 

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