回(hui)到(dao)藏(zang)身(shen)處(chu)後(hou)，筆(bi)記(ji)本(ben)電(dian)腦(nao)最(zui)終(zhong)崩(beng)潰(kui)了(le)，盡(jin)管(guan)戴(dai)著(zhe)麵(mian)具(ju)的(de)十(shi)字(zi)軍(jun)戰(zhan)士(shi)全(quan)神(shen)貫(guan)注(zhu)在(zai)頂(ding)棚(peng)注(zhu)視(shi)著(zhe)他(ta)

，等(deng)待(dai)著(zhe)一(yi)個(ge)機(ji)會(hui)把(ba)它(ta)奪(duo)回(hui)來(lai)。筆(bi)記(ji)本(ben)電(dian)腦(nao)中(zhong)的(de)8TBSSD（固態器件或固態“驅動”–其中沒有移動部件）有許多秘密。Octopus博士知道信息的重要性
，並不惜一切去破壞它，無意中給他最大的敵人一個機會尾隨他到了受保護的藏身處。為了確保SSD中的內容是真的和被永久的破壞，Planner碩士打碎了機箱，然後又額外用機電臂在其端口釋放強大的閃電，當它明顯的劈啪作響並片刻變成藍色時咧嘴而笑。

 

他沒有料到的是安森美半導體的固態硬盤和硬盤驅動器（HDD）從個人電腦到數據中心的應用都包含電子保險絲(eFuse)。這些eFuse在遭遇過流條件時通過“熔斷”（開路）保護電器，而且這種方式類似於普通保險絲。不同的是，這些器件可以電子複位到導電狀態。eFuse提供一些額外的功能，其規格不斷提高：我們最新的eFuse包括集成的特性如電荷泵、精密的過流保護
、熱關斷
、三態使能引腳、欠壓鎖定和帶有輸出電壓鉗位的過壓保護。

 

不是所有的eFuse都相同。在當今的電力係統中
，能效是關鍵，較低性能的eFuses其實可以對係統的整體性能產生有害的影響。關鍵的參數是eFuse的靜態電阻RDS(ON) ，由內部MOSFET確定。低的RDS(ON)zhiquebaozhengchangyunxingshidegonglvchuanshushigaoxiaodehejidigonghaode。genggaoxiaodeyunxinghaizhichizaijiaogaohuanjingwenduxiagongzuo，erqijianshengwenxiangduijiaodi，zheyiweizhexuyaojiaoshaodelengque，congerkejieshengkongjian。suiraneFuses的工作溫度可達150˚C，但工作溫度越低，使用壽命越長。這一點尤其重要，因為數據中心的硬件被期望能工作10年或更長。

 

安森美半導體最新的eFuse（NIS5431 和NIS5452）的RDS(ON) 的典型值僅33mΩ，比前代的NIS5135低一半。如圖1所示
，較新的器件包括具有柵極電壓的集成的高邊N溝道功率MOSFET
，由電荷泵升壓。

 

圖1. 具有柵極電壓的集成的高邊N溝道功率MOSFET。

 

在Octopus博士將破舊的筆記本電腦和SSD從(cong)懸(xuan)崖(ya)扔(reng)到(dao)飛(fei)泉(quan)洶(xiong)湧(yong)的(de)水(shui)下(xia)後(hou)，一(yi)個(ge)受(shou)傷(shang)的(de)蜘(zhi)蛛(zhu)俠(xia)從(cong)潮(chao)濕(shi)的(de)山(shan)洞(dong)裏(li)溜(liu)出(chu)來(lai)，蹲(dun)在(zai)邊(bian)上(shang)盯(ding)著(zhe)它(ta)，然(ran)後(hou)在(zai)一(yi)個(ge)不(bu)可(ke)能(neng)的(de)角(jiao)度(du)溜(liu)下(xia)岩(yan)壁(bi)。差(cha)不(bu)多(duo)六(liu)個(ge)小(xiao)時(shi)後(hou)
，他(ta)取(qu)回(hui)了(le)電(dian)子(zi)產(chan)品(pin)，並(bing)送(song)到(dao)數(shu)據(ju)醫(yi)學(xue)實(shi)驗(yan)室(shi)進(jin)行(xing)分(fen)析(xi)。果(guo)然(ran)，eFuse保護了SSD免(mian)受(shou)有(you)害(hai)電(dian)擊(ji)的(de)損(sun)壞(huai)，這(zhe)隻(zhi)是(shi)個(ge)時(shi)間(jian)問(wen)題(ti)，然(ran)後(hou)閃(shan)存(cun)芯(xin)片(pian)被(bei)從(cong)設(she)備(bei)中(zhong)取(qu)出(chu)，並(bing)被(bei)安(an)裝(zhuang)到(dao)一(yi)個(ge)新(xin)的(de)機(ji)箱(xiang)中(zhong)，提(ti)供(gong)獲(huo)取(qu)豐(feng)富(fu)的(de)數(shu)據(ju)
，包(bao)括(kuo)用(yong)來(lai)譯(yi)碼(ma)惡(e)人(ren)名(ming)字(zi)
、他們的位置和他們對全球所犯下的罪的12,837,064位重要的數據。

 

如果要求eFuse的額定電流超過5A，可以簡單地將使能引腳、輸入和輸出並聯在一起。由於RDS(ON)的正溫度係數，均流均為自動分配。圖2和圖3的評估板演示了這。

 

圖2. 評估板展示4個NIS5452的並行配置。

 

圖3. 4個NIS5452器件並行，總電流20A，最高殼溫56攝氏度。

 

內部高能效的SenseFET架構支持限流以保護免受故障條件的影響。這樣的配置顯著的節省檢測電阻的功耗和便於通過外部電阻RLIMIT編程。可調的轉換速率特性控製浪湧電流，同時為高容性負載提供電源。

 

可以在具有一些元器件的NIS5452MT1GEVB 標準評估板上測試最新的NIS5452 和NIS5431 ，以(yi)簡(jian)化(hua)測(ce)試(shi)。請(qing)點(dian)擊(ji)這(zhe)裏(li)獲(huo)取(qu)更(geng)多(duo)信(xin)息(xi)或(huo)聯(lian)係(xi)您(nin)當(dang)地(di)的(de)銷(xiao)售(shou)代(dai)表(biao)以(yi)申(shen)請(qing)評(ping)估(gu)板(ban)和(he)樣(yang)品(pin)，和(he)您(nin)在(zai)打(da)擊(ji)犯(fan)罪(zui)的(de)努(nu)力(li)中(zhong)所(suo)需(xu)要(yao)的(de)任(ren)何(he)其(qi)他(ta)幫(bang)助(zhu)！

 

 

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