控製板級時鍾分配期間出現的EMI
發布時間:2021-04-06 來源:Lin Wu 責任編輯:wenwei
【導讀】今天,我們來談談所有電子係統都存在的一種常見問題——電磁幹擾也即 EMI,並側重討論時鍾的影響。從廣義來講,EMI 是中斷、阻礙或者降低電子器件有效性能的所有電磁幹擾。其產生的方式有兩種:1)通過存在於信號之間的寄生電感/電容,或者通過電源或接地連接的無用耦合,從而產生 EMI;或者2)直接通過電子/磁輻射,即輻射性 EMI。
由於兩個原因,時鍾信號常歸咎於 EMI。即使時鍾低頻率運行,較好的時鍾上升/下降沿也包含大量的奇次諧波,其在更高頻率時會引起 EMI。另外,時鍾通常會在板上傳播一段較長的距離,從而更可能給其他組件帶來幹擾。通常,EMI 可通過頻譜分析儀測量,如圖 1 所示。圖中,綠色信號存在一些超出紅色 FCC 屏蔽的頻率分量(300MHz、400MHz 和 500MHz 等)。

控製時鍾引起 EMI 的一些方法都基於上述兩種方式:屏蔽、去耦、精心布局,以及改變時鍾源特性。
屏蔽方法使用導體將 EMI 徹底包起來接地。利用這種方法,電磁能量被控製在係統內部。另外,它還使外部信號更難以將 EMI 帶入係統。這種方法對傳導性 EMI 和輻射性 EMI 都有效。一般而言,這種方法在保護係統的敏感部件時成本較高,並且占用空間。高頻時效果較好。在 100MHz 以下時鍾頻率或邊緣速率情況下,EMI 自屏蔽層以上時鍾信號耦合,而屏蔽層本身也產生輻射。這種情況下,屏蔽的效果極其有限。一種解決方法是使用 RF 線圈。
大多數情況下,較好的去耦和精心的布局比屏蔽方法更能減少傳導性 EMI。
在每個有源器件(盡可能靠近器件連接電源或接地)上安裝旁路或者“去耦”電容有助於引導時鍾或任何其他高頻信號組件直接接地,而非幹擾其他信號。至少用兩個數量級,交替這些旁路電容器的值。如果可能,選擇表麵貼裝類型。在板上給去耦組件一個占位器 (position holder) 一直都是一個不錯的辦法。
就您的布局而言,基本原則是讓接地返回路徑短一些,並最小化信號環路。使用較短的過孔組件線。盡可能地靠近 PCB 貼tie裝zhuang組zu件jian,並bing將jiang與yu時shi鍾zhong線xian跡ji相xiang關guan的de所suo有you組zu件jian都dou靠kao近jin放fang置zhi在zai一yi起qi。如ru果guo可ke以yi的de話hua,請qing使shi用yong差cha分fen信xin號hao。實shi事shi證zheng明ming,使shi用yong一yi個ge專zhuan用yong接jie地di層ceng和he多duo層ceng布bu局ju較jiao為wei高gao效xiao。但dan是shi,這zhe會hui增zeng加jia電dian路lu板ban成cheng本ben。對dui於yu一yi些xie如ru便bian攜xie式shi係xi統tong等deng成cheng本ben敏min感gan型xing設she計ji而er言yan,這zhe樣yang做zuo並bing不bu可ke取qu。這zhe些xie情qing況kuang下xia,改gai變bian時shi鍾zhong信xin號hao本ben身shen可ke有you效xiao地di減jian少shao EMI 源,同時更便宜,也更靈活。
一種方法是減少信號擺動來降低峰值能量。增加串聯電阻減慢時鍾上升/下降沿,從而減少諧波。另一種普遍使用的方法是使用擴頻時鍾 (SSC),有意將時鍾能量傳播至更寬的頻帶,這樣便使峰值能量降低。這種 SSC 功能被集成到大多數我們的時鍾器件中。下次,我們將對其做更詳細的討論。
降低擺動或使用邊緣控製的缺點是使時鍾的抗噪性變差。使用 SSC 增加了時鍾的抖動。就消費類電子產品而言,通常較少關注這些。但是,對於一些高精度應用而言,這些方法通常不是首選的方法。
結論
總之,降低 EMI 方法的選擇涉及您的應用、時鍾頻率和成本/性能考慮等諸多方麵。一般而言,它是所有上述方法的綜合。
參考文獻
● 《防止時鍾分布電路中 EMI 的應用手冊》TI,網址: http://focus.ti.com/general/docs/techdocsabstract.tsp?abstractName=scaa031
● 如欲了解 CDCS502 的詳情並獲取 SSC 器件的樣片,您可以登錄 http://focus.ti.com/docs/prod/folders/print/cdcs502.html 下載產品說明時和其他技術文檔;請登錄 http://focus.ti.com/docs/prod/folders/print/cdce949.html 了解 CDCE949 詳情。
作者簡介
Lin Wu 現任 TI 接口和時鍾產品部產品營銷經理。 Lin 女士畢業於愛荷華州立大學(Iowa State University),獲電子工程博士學位,現在擁有 3 項美國專利。
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