我們已聽到我們的行業代言人宣布，“GaN將迎來黃金發展時間。”這一公告似乎在暗示，GaN已準備好出現在廣大聽眾、用戶或為數眾多的應用麵前。這也表明，GaN技術已經如此成熟
，不能認為它是一個有問題的技術。我會讓您自己決定哪些東西是正確的。

 

因此，當我說“GaN已為數字電源控製做好準備”時，您懂我的意思嗎？測試GaN的一種方法是查看采用GaN的電源的開發過程。多數情況下，電源設計人員使用數字控製來演示GaN應用。這可能是因為數字化控製的靈活性較好，能夠讓設計人員精確控製開關波形。也可能是數字控製可以提供克服任意GaN缺點的多個控製回路和保護電路。

 

我認為，“GaN已為數字電源控製做好準備”的含義比我上述提到的更豐富，但它也意味著數字控製也做好準備迎接GaN。對於做好準備迎接GaN的數字電源控製來講，它需要時間基分辨率
、采樣分辨率和計算馬力用於更高的開關頻率
、更窄的占空比和精確的死區時間控製。圖1和2所示為矽（Si）MOSFET和GaN MOSFET的上升和下降時間。圖中數字顯示死區時間存在兩倍的差異
，矽 MOSFET速度更慢。此外，GaN MOSFET的上升和下降更加線性。這些屬性使得更精細的邊緣控製非常可取。

 

GaNkezaiwuxuzhifuhouxufeiyongdeqingkuangxiazengdakaiguanpinlv。liyongzheyiyoudian，keyizaigonglvjizhongsuoxiaowuyuanyuanjianchicun，bingjiakuaishunbianxiangyingsudu。danshi
，yaoduizhexiejiaogaopinlvjinxingsuoxudekongzhi，kongzhidianlusudubixugengkuai。liru，caiyanghezhuanhuanshijianxuyaozugoukuai
，caibuhuixianzhizhankongbikuanduhuoxiangweiyanchi。ciwai，jiexialaizhenduikongzhigongzuodejisuanxuyaozugoukuai，yibuxianzhikaiguansudu。duiyurujinpinlvdayu1MHz的開關電源，需要在少數100ns中完成采樣和轉換。計算延遲也必須處於這一範圍。

 

幸(xing)運(yun)的(de)是(shi)

，多(duo)年(nian)來(lai)，我(wo)們(men)生(sheng)產(chan)的(de)數(shu)字(zi)電(dian)源(yuan)控(kong)製(zhi)器(qi)一(yi)直(zhi)具(ju)備(bei)這(zhe)一(yi)能(neng)力(li)。並(bing)非(fei)所(suo)有(you)數(shu)字(zi)電(dian)源(yuan)控(kong)製(zhi)器(qi)都(dou)能(neng)滿(man)足(zu)這(zhe)些(xie)需(xu)求(qiu)，但(dan)是(shi)至(zhi)少(shao)電(dian)源(yuan)設(she)計(ji)人(ren)員(yuan)有(you)選(xuan)擇(ze)權(quan)。

 

因此
，GaN為數字電源控製做好準備了嗎？我們得到的答案更多是數字電源控製已準備好迎接GaN。因此，隨著GaN繼續開發
，並應用於高密度和高性能電源解決方案，我們不必等待開發控製器時要借助GaN帶給行業的優勢。因此
，這就是“準備就緒”的含義：它是指“現在就開始”。

 

您對這個問題有什麼看法呢
？

 

圖1：諧振LLC矽MOSFET死區時間

 

圖2：LLC GaN MOSFET死區時間

 

 

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