集成的門極驅動器實現電隔離的運行優勢
發布時間:2020-12-15 來源:Guy Rahamim 責任編輯:wenwei
【導讀】在zai電dian力li係xi統tong設she計ji中zhong,提ti供gong電dian氣qi隔ge離li通tong常chang是shi必bi要yao的de。保bao持chi高gao低di壓ya域yu電dian隔ge離li,防fang止zhi電dian流liu在zai它ta們men之zhi間jian流liu動dong,否fou則ze可ke能neng導dao致zhi嚴yan重zhong的de安an全quan問wen題ti。當dang然ran,隔ge離li的de域yu仍reng需xu要yao進jin行xing交jiao互hu,讓rang數shu據ju在zai它ta們men之zhi間jian傳chuan輸shu。
盡(jin)管(guan)隔(ge)離(li)很(hen)普(pu)遍(bian),但(dan)是(shi)有(you)效(xiao)地(di)實(shi)現(xian)隔(ge)離(li)仍(reng)然(ran)存(cun)在(zai)問(wen)題(ti),尤(you)其(qi)是(shi)當(dang)我(wo)們(men)向(xiang)更(geng)高(gao)的(de)係(xi)統(tong)集(ji)成(cheng)度(du)發(fa)展(zhan)。它(ta)的(de)主(zhu)要(yao)目(mu)的(de)是(shi)安(an)全(quan),但(dan)它(ta)也(ye)可(ke)以(yi)通(tong)過(guo)最(zui)大(da)化(hua)共(gong)模(mo)瞬(shun)變(bian)抗(kang)擾(rao)度(du)(CMTI)laitigaoxingneng,zheshizaiqichexingyezhongshiyonggelidezhuyaoyuanyinzhiyi。lingyigeyuanyin,youqishizaidiandongqichezhong,shizhichidianyayuzhijiandedianyuanzhuanhuanhedianpingzhuanhuan。
電源轉換係統通常使用功率MOSFET或IGBT。這些器件需要使用低壓信號由門極驅動器來開關。weibaochibutongdedianyayudulidanxianghulianjie,xuyaogeli,zhejiushigedianxingdeshili。gelitongchangshiyongguangouheqilaishixian,zhezhishaoxuyaolianggefenliqijian。fasheqishiyigeLED,接收器包括一個光電二極管。
盡管光耦合器可易於實現極高的5 kVrmshuogenggaodegeli,dantamentijidaqieyilaohua。zaimeiyouguangdeqingkuangxiashixiankuayuegelizhadetongxin,tongshirengbaoliusuoxudegelishuiping,zheshikenengde。guangouheqizaixuduoyingyongzhongkenengshilixiangdexuanze,dantidaijishudequshiyuelaiyuemingxian,jichengdegeliqijiantigonggengduobianli。yigeshilishiansenmeibandaotideNCD57001。它使用通過無芯變壓器的磁耦合在微型電感器之間創建數據路徑,從而提供5 kVrms的電氣隔離和至少100 kV / us的CMTI。

圖1:安森美半導體的先進的NCD57001門極驅動器IC
NCD57001delingyigexianzhutedianshitadeshuchuji,zhuanweijiejueyigechangjianwentierkaifa。tajuyouyigeneibuhuanchongji,weikefumilepingtaiersheji。zheshichuandiquxianquyu,zhengminglexuduomenjiqudongqidexiaowang。zaiciqijian,jishengmiledianrongshengxiao,congerjiangdilekai/關轉換速度。

為了補償米勒電容的遲滯效應,輸出緩衝器的作用是通過米勒平台(Miller Plateau)laizengjiaqudongdianliu。zhajiduanzishangdemiledianrongshikaiguansunhaodezhuyaoyuanyin。dangmenjidianyakaishishangshengqiequdongqishuchudianyayumenjidianyazhichajianxiaoshi,tigongdadianliushuchuqudong,IGBT或MOSFET可以更快地通過米勒平台。這是利用輸出級的升壓效應來減少為寄生/米勒門極電容充電所需的時間來實現的。
NCD57001的(de)無(wu)芯(xin)變(bian)壓(ya)器(qi)技(ji)術(shu),在(zai)芯(xin)片(pian)級(ji)門(men)極(ji)驅(qu)動(dong)器(qi)中(zhong)提(ti)供(gong)了(le)有(you)效(xiao)的(de)隔(ge)離(li)。這(zhe)些(xie)全(quan)集(ji)成(cheng)的(de)隔(ge)離(li)式(shi)門(men)極(ji)驅(qu)動(dong)器(qi)具(ju)有(you)真(zhen)正(zheng)的(de)工(gong)程(cheng)優(you)勢(shi),並(bing)且(qie)在(zai)需(xu)要(yao)以(yi)小(xiao)尺(chi)寸(cun)實(shi)現(xian)高(gao)隔(ge)離(li)度(du)的(de)應(ying)用(yong)中(zhong)是(shi)光(guang)隔(ge)離(li)驅(qu)動(dong)器(qi)的(de)絕(jue)佳(jia)替(ti)代(dai)品(pin)。其(qi)為(wei)克(ke)服(fu)米(mi)勒(le)平(ping)台(tai)而(er)設(she)計(ji)的(de)輸(shu)出(chu)升(sheng)壓(ya)級(ji)還(hai)提(ti)高(gao)了(le)開(kai)關(guan)效(xiao)率(lv)。隨(sui)著(zhe)越(yue)來(lai)越(yue)多(duo)的(de)應(ying)用(yong)采(cai)用(yong)高(gao)直(zhi)流(liu)電(dian)壓(ya),對(dui)高(gao)效(xiao)和(he)安(an)全(quan)隔(ge)離(li)的(de)需(xu)求(qiu)也(ye)在(zai)增(zeng)長(chang)。因(yin)此(ci),創(chuang)新(xin)方(fang)案(an)如(ru)NCD57001可真正為您的下一個功率開關應用帶來積極的改變。
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