另辟蹊徑淺談電阻技術之陶瓷基板篇
發布時間:2020-10-20 來源:開步呂工 責任編輯:wenwei
【導讀】說到陶瓷,一般人就很容易的聯想到磁磚、陶瓷器皿、浴缸、或是景陶瓷藝術品,這些通稱為傳統陶瓷。而對於被動元件的基板,它們屬於精細陶瓷(Fine Ceramics)。采cai用yong高gao純chun度du無wu機ji材cai料liao為wei原yuan料liao,經jing過guo精jing確que控kong製zhi化hua學xue組zu成cheng及ji均jun勻yun度du,再zai經jing過guo一yi定ding方fang式shi成cheng形xing,最zui後hou高gao溫wen燒shao結jie而er成cheng。其qi具ju有you足zu夠gou高gao的de機ji械xie強qiang度du,低di介jie電dian常chang數shu,低di熱re膨peng脹zhang係xi數shu,高gao熱re導dao率lv,良liang好hao的de化hua學xue穩wen定ding性xing等deng優you點dian,得de到dao了le廣guang泛fan的de應ying用yong。

表 陶瓷基板的性質
對於需求最為廣泛的片式薄膜與(yu)厚(hou)膜(mo)電(dian)阻(zu)器(qi)來(lai)說(shuo),陶(tao)瓷(ci)基(ji)板(ban)材(cai)料(liao)的(de)機(ji)械(xie)性(xing)能(neng)和(he)電(dian)氣(qi)性(xing)能(neng)對(dui)電(dian)阻(zu)膜(mo)層(ceng)有(you)非(fei)常(chang)大(da)的(de)影(ying)響(xiang),我(wo)們(men)將(jiang)從(cong)幾(ji)個(ge)角(jiao)度(du)來(lai)介(jie)紹(shao)基(ji)板(ban)性(xing)能(neng)對(dui)電(dian)阻(zu)膜(mo)層(ceng)的(de)影(ying)響(xiang)。
表麵粗糙度
表麵粗糙度,是指連續表麵上峰點、穀點與中心線的平均偏差,用Ra表示,單位為um。表麵粗糙度越小,則表麵越光滑。而基片表麵粗糙度參數,對電阻膜層連續性有重要影響。舉一個極端例子:對於薄膜電阻器,若薄膜膜層厚度僅為200Å~400Å(0.02um~0.04um),此厚度的膜層覆蓋在1um(10000Å)的粗糙表麵上,這種膜沿高山和深穀蔓延,結果是電阻器的阻值變化很大。有較大可能形成不完全的、斷裂的、有裂紋的不連續膜。
介電損耗
對於基板材料來說,其相關特性還有介電損耗。其由介電材料中極化電流滯後電壓相位角的正切來表征,它與信號頻率和電路分布參數C、R的關係是:
δ稱為損耗角。δ值大,信號會以發熱的形式發送損耗,甚至消失,對於高頻應用來說,介電損耗極為重要。
介電常數

信號傳輸速度v與基板介電常數的平方根成反比。因此,對於高速回路,要求基板有更低的介電常數。
熱導率
一些大功率應用,對基板提出了高散熱的要求,需要采用高熱導率基板,如AlN基板和BeO基板等。對於電阻而言,采用高熱導率基板可以實現相同尺寸下更大的額定功率。
熱膨脹係數
對於不同元件,對熱膨脹係數要求不同。對於半導體芯片,要求基板的熱膨脹係數與Si越接近越好,因此可以大大降低大規模集成電路運行-停止溫度循環中產生的應力,此應用一般采用SiC基板。對於金屬箔電阻而言,考慮到箔片熱膨脹與陶瓷基板相匹配實現低溫漂因素,基板的熱膨脹係數需要重點考量。
陶瓷製造工藝
陶瓷燒成前典型的成形方法為流延成型,容易實現多層化且生產效率較高。

電阻常用陶瓷基板
氧化鋁陶瓷基板:
從現實情況來看,廣泛使用的還是Al2O3基板,同時其加工技術與其他材料相比也是最先進的。按含氧化鋁(Al2O3)的百分數不同可分為:75瓷、96瓷、99.5瓷ci。氧yang化hua鋁lv含han有you量liang不bu同tong,其qi電dian學xue性xing質zhi幾ji乎hu不bu受shou影ying響xiang,但dan是shi其qi機ji械xie性xing能neng及ji熱re導dao率lv變bian化hua很hen大da。純chun度du低di的de基ji板ban中zhong玻bo璃li相xiang較jiao多duo,表biao麵mian粗cu糙cao度du大da。純chun度du越yue高gao的de基ji板ban,越yue光guang潔jie、致密、介質損耗越低,但是價格也越高。
所以薄膜電阻和厚膜電阻,他們所采用的氧化鋁基板也不完全相同。

不同氧化鋁含量的基板對比
氮化鋁陶瓷基板:
氮化鋁陶瓷是以氮化鋁粉體為主晶相的陶瓷。相比於氧化鋁陶瓷基板,絕緣電阻、絕緣耐壓更高,介電常數更低。其熱導率是Al2O3的7~10倍,熱膨脹係數(CTE)與矽片近似匹配,這對於大功率半導體芯片至關重要。在生產工藝上,AlN熱導率受到殘留氧雜質含量的影響很大,降低含氧量,可明顯提高熱導率。目前工藝生產水平的熱導率達到170W/(m·K)以上已不成問題。

圖 氧化鋁基板與氮化鋁基板特性對比

圖 氧化鋁基板與氮化鋁基板特性對比
氮化鋁陶瓷基板:
氧化鈹基板的熱導率是Al2O3基板的十幾倍,適用於大功率電路,而且介電常數又低,可用於高頻電路。BeO基板用於一般用作大功率微波散熱基板。缺點是BeO粉塵與蒸汽的毒性對人體傷害很大,存在環境問題。

圖 基板的熱導率與溫度的關係
我們對比了市麵上相同尺寸(100mm×100mm×1mm)、不同材料的陶瓷基板價格:
96%氧化鋁9.5元,99%氧化鋁18元,氮化鋁150元,氧化鈹650元,可以看出來不同的基板價格差距也比較大。
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