現有的4G基站，每個陣列最多使用四個發射器和四個接收器（4x4 MIMO）。與之相比，預計采用大規模MIMO陣列的5G基站，每個陣列可使用多達64個發送器和64個接收器。加之每個基站節點有更多的信道，5G網絡能比4G網絡的數據傳輸速率高100倍
，並且網絡延遲低至1ms。 

 

這將意味著每個5G基站需要更多的調製解調器，數據轉換器和高速基帶數字處理器
，也就不可避免地需要更多的電源供給。預估表明，5G基站可能比現有4G基站多三倍的功率需求，需要硬件設計師找到合適的電源解決方案，為新增的處理器供電，並將所有元器件能被壓縮到和現有4G基站機殼差不多的尺寸中。對比傳統分立式 DC / DC IC和外部電感的解決方案

，5G基站的電路板組件密度要求更高，尺寸要求更小，且需要實現更高的效率和更低的EMI。 

 

基站的輸入電壓通常為48V，該電壓被DC / DC轉換器降壓至24V或12V，然後進一步降壓到多個電源軌
，範圍從3.3V至1V以下，這些電源軌為基帶處理器中的ASIC電路供電。 

 

傳統的電源解決方案是使用分立式降壓DC/DC變換器，采用一個控製IC，使用內置或者外置的功率MOSFET
，再加上外部電感和電容等元件
，產生所需的電源軌。由於5G基ji站zhan需xu要yao的de電dian源yuan軌gui眾zhong多duo
，如ru果guo使shi用yong傳chuan統tong的de解jie決jue方fang案an，產chan生sheng這zhe些xie電dian源yuan軌gui將jiang會hui是shi一yi個ge非fei常chang複fu雜za而er耗hao時shi的de任ren務wu。不bu僅jin必bi須xu要yao考kao慮lv每mei個ge轉zhuan換huan器qi的de電dian感gan尺chi寸cun和he結jie構gou、輸入輸出電容容值
、輸入濾波
，還要考慮到其他因素，例如工作頻率和時序等問題。 

 

同時，為了減少開關電流引起的傳導和輻射EMI
，還需要精心對元件布局和放置濾波器組件。DC / DC轉換器通常會通過電流回路中的磁場產生傳導EMI
，而電流回路主要形成在輸出功率MOSFET開關節點與地之間以及輸入電容與地之間。MOSFET開關節點與電感連接處也會產生輻射電場EMI
，由於需要不斷在輸入電平與地電平切換，因此dV / dt很高
，並且電感本身產生的電磁場也會產生輻射(見圖1）。

 

圖 1：DC / DC降壓轉換器的典型EMI噪聲源

 

如果設計不當，會造成極其耗時耗費的設計迭代和重複EMI測試。 

 

為了簡化設計並加快產品上市速度
，一種替代的解決方案是在每個電源軌上使用獨立的DC / DC轉換器模塊。隨著半導體工藝技術和封裝結構的進步，MPS最新一代的DC / DC模塊可以實現小尺寸

、高功率密度、高效率和良好的EMI性能。同時，新的封裝技術，例如倒裝工藝和“mesh-connect”引線框架技術，可以將IC
、電感和無源器件直接安裝在引線框架上
，無需打線或額外的內部PCB (見圖二)。

 

圖2:集成模塊DC / DC降壓變換器結構

 

引線框架結構優點明顯，它可以更好地控製EMI，改善散熱，並能減少占板麵積。

 

與采用內部PCB基板或打線的結構相比，此種結構可以最大限度地減少走線長度
，並能直接連至無源元件，大大降低了寄生電感，減少了EMI。而且表麵直接貼裝在目標PCB上的焊盤柵格陣列（LGA）封裝，和SIP/SIL封裝的變換器相比，其EMI更少，因為SIP/SIL封裝的引腳會輻射EMI。同時，LGA封裝允許接地層覆蓋模塊下方的大部分區域，有助於閉合渦流環路而進一步降低EMI（見圖3）。 對於有些類型的模塊電源
，其金屬外殼還可以減少額外的EMI輻射。 

 

圖 3:模塊較大接地層麵積有助於降低EMI

 

T使用銅柱直接將MOSFET裸片的源極和漏極連接到模塊的引線框架上
，可以改善從功率MOSFET到目標PCB覆銅的熱傳導，實現更小的模塊尺寸
，而傳統結構中的打線或內部電路板結構則會阻礙散熱。 

 

MPS 產品MPM3550E采用集成模塊的方法
，大大節省了布板空間。該模塊可以在 1V 至 12V 可調輸出電壓範圍內實現 5A 的最大持續輸出電流，最大輸入電壓高達36V，采用尺寸為12mmx12mmx4.2mm 的LGA封裝。 

 

與帶有外部電感和無源元件的傳統36V、3.5A分立式DC / DC布局相比

，MPM3550E的占板麵積可節約30％的空間 (見圖四)。 

 

圖 4: DC / DC降壓模塊尺寸對比傳統分立式DC / DC解決方案尺寸

 

除了節省空間外，設計人員也無需再考慮獨立元件的選型或轉換器的布局。這些問題已經在MPS的模塊設計時被考慮。MPS的電源模塊集成了軟飽和磁芯的封閉式磁路電感、優化的電流環路和集成輸入濾波，能大大簡化最終設計，確保滿足輻射和傳導EMI要求。 

 

由兩個10μF電容和一個3.3μH電感的組成的LC低通濾波器，足以滿足傳導發射規範，包括CISPR22 Class B 和CISPR25 Class 5規範 （見圖5）。 

 

 

圖 5：帶有外部EMI濾波器的模塊性能圖及傳導EMI結果

 

為了進一步節省電路板空間，一種可行的辦法是將多個DC/DC變換器集成到一個模塊中。這尤其適用於低壓電路
，例如ASIC。較低的功率等級允許多個變換器集成到一個模塊的同時，仍能實現可控的功率密度和功耗水平。(見圖六，圖七)。 

 

圖 6：集成4個DC/DC變換器模塊示例

 

圖 7：集成4個DC/DC模塊的小尺寸封裝圖

 

與使用獨立DC/DC電源變換器的解決方案相比

，采用多電源軌模塊方案
，可以節約高達90％的占板麵積。圖8顯示的是MPS 的電源模塊MPM54304
，與四個分立的降壓轉換器占用麵積的比較
，MPM54304將四個降壓轉換器包括電感和無源元件集成在單個7mmx7mmx2mm模塊中。  

 

圖 8：四個分立式DC / DC轉換器與MPM54304的占板空間的比較

 

毋容置疑的是，5G基帶和無線電板設計對於元件集成度和功率密度的要求更高，同時還會受到安裝機櫃尺寸和無線電天線杆負載能力的限製。而使用DC / DC集成模塊可以幫助節省電路板空間，簡化布局和降低EMI。 綜上所述，MPS的解決方案不但可以降低設計風險，還能縮短產品上市時間。

 

 

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