效率媲美氮化镓的超級矽MOSFET
發布時間:2020-04-23 責任編輯:wenwei
【導讀】半(ban)導(dao)體(ti)功(gong)率(lv)器(qi)件(jian)在(zai)電(dian)力(li)電(dian)子(zi)行(xing)業(ye)有(you)著(zhe)非(fei)常(chang)廣(guang)泛(fan)的(de)應(ying)用(yong),特(te)別(bie)是(shi)近(jin)幾(ji)年(nian)來(lai),隨(sui)著(zhe)社(she)會(hui)電(dian)子(zi)產(chan)業(ye)化(hua)及(ji)萬(wan)物(wu)互(hu)聯(lian)的(de)應(ying)用(yong)需(xu)求(qiu),更(geng)進(jin)一(yi)步(bu)加(jia)速(su)了(le)電(dian)子(zi)化(hua)水(shui)平(ping)的(de)進(jin)程(cheng);也對電力電子係統提出了更高的要求和挑戰,如:高效率、高頻化、高密度、小體積、高可靠性及長壽命等方麵。
東微半導體的GreenMOSxiliechanpinshiguoneizuizaoliangchanbingjinrugongyejiyingyongdegaoyachaojijiechanpinxilie,zaiguochanpinpaizhongzhanyoulingxiandiwei,guangfanyingyongyuchongdianzhuangmokuai,tongxundianyuandengdagonglvyingyonglingyu。
為了滿足高密度快充的需求,東微半導體於近期推出了全新的超級矽MOSFET(Super-Silicon)係列產品,該係列采用成熟的矽基材料及工藝,可以確保在雷擊、高溫等極限工況下的長期可靠性以及穩定性。
同時,超級矽係列將GreenMOS的開關性能推向極致,可達到1MHz以上的開關頻率,完全可以替代氮化镓器件在高壓側的應用。

圖1、GreenMOS係列與超級結MOS開關速度對比
在係統應用中的效率方麵,以65W PD為例,超級矽係列在軟開關有源鉗位(ACF)拓撲中體現出優異的效率:

圖2、ACF拓撲
該方案中用到的OSS65R340JF, 屬於超級矽係列,其效率基本與選用了氮化镓(GaN)的方案一致,完全可以滿足高能效要求。尤其在更高頻率400KHz條件下效率依然與GaN保持一致,體現了此係列產品極低的驅動損耗和開關損耗的特性,以下為效率對比圖:

圖3、超級矽與GaN效率對比
在功率密度方麵,同樣用65W的PD為例,基於東微超級矽係列的MOS做的Demo方案, 最大功率密度可達1.38W/cm?,直接對標氮化镓方案:

圖4、超級矽與GaN體積對比
在產品成本方麵,由於超級矽係列采用成熟的矽基材料,與GaN特殊的材料和生產工藝相比具有巨大的成本優勢。尤其在消費領域,如:手機通訊類、電子產品適配器的應用,器件成本大概為同等規格GaN器件25-50%,同時驅動超級矽功率器件的控製芯片可選擇性廣泛,更避免了GaN驅動複雜的設計導致額外係統成本的增加。

圖5、超級矽與GaN特性對比
超級矽係列已有量產規格包含耐壓600、650和700V三檔,最低Rdson為80mR,靜態電流30A,對應功率段50-600W。

圖6、超級矽係列產品推薦規格
東微半導體還有全係列中低壓高速器件,適用於不同快充方案的同步整流輸出。

圖7、同步整流MOSFET推薦規格
綜上所述,在對成本、功率密度要求與日俱增的今天,超級矽係列可完美滿足要求。目前,超級矽係列已在聯想等多個主流客戶端量產。
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